IGBT 6MBI25N120

Описание IGBT-модуля 6MBI25N120

6MBI25N120 – это IGBT-модуль третьего поколения (NPT-технология) с напряжением коллектор-эмиттер 1200 В и номинальным током 25 А. Модуль содержит встроенный антипараллельный диод, что делает его пригодным для инверторных и импульсных преобразователей.

Основные технические характеристики

Электрические параметры IGBT:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (I_C при 25°C): 25 А
• Ток коллектора (I_C при 80°C): 15 А
• Импульсный ток коллектора (I_CM): 50 А
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)): 2,5 В (при I_C = 25 А)
• Мощность рассеяния (P_tot): 160 Вт
• Температура перехода (T_j): -40°C до +150°C

Электрические параметры встроенного диода:

• Максимальное обратное напряжение (V_RRM): 1200 В
• Средний прямой ток (I_F(AV)): 15 А
• Пиковый прямой ток (I_FSM): 30 А
• Прямое падение напряжения (V_F): 1,8 В

Динамические характеристики:

• Время включения (t_on): 80 нс
• Время выключения (t_off): 300 нс
• Частота переключения (f_sw): до 20 кГц

Термические параметры:

• Термическое сопротивление переход-корпус (R_th(j-c)): 0,78 °C/Вт
• Термическое сопротивление переход-радиатор (R_th(j-h)): 0,25 °C/Вт

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF50R12RT4 (50 А, 1200 В)
• SEMIKRON: SKM25GB12T4 (25 А, 1200 В)
• Mitsubishi: CM25DY-12H (25 А, 1200 В)
• Fuji Electric: 2MBI25N-120 (25 А, 1200 В)

Парт-номера с похожими характеристиками:

• 6MBI25N120-50 (улучшенная версия)
• 6MBI25N120-055 (с другим корпусом)
• 6MBP25RA120 (аналог с другим типом корпуса)

Применение

• Преобразователи частоты (ЧРП)
• Инверторы и UPS
• Сварочные аппараты
• Системы управления двигателями

Если требуется более точная совместимость, рекомендуется проверять datasheet заменяемого модуля.