IGBT 6MBI50F-060

Описание IGBT модуля 6MBI50F-060

6MBI50F-060 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства Fuji Electric, предназначенный для использования в импульсных преобразователях, инверторах и системах управления электродвигателями. Модуль включает в себя NPT (Non-Punch Through) IGBT-транзисторы с высокой эффективностью и низкими потерями, а также быстрые диоды в одном корпусе.

Основные применения:

• Частотные преобразователи
• Системы ЧПУ
• Индукционные нагреватели
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Электроприводы

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|----------------------------------|
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Номинальный ток (I_C) | 50 А (при 80 °C) |
| Ток импульса (I_CP) | 100 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 200 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1.8 В (тип.) |
| Время включения (t_d(on)) | 110 нс |
| Время выключения (t_d(off)) | 400 нс |
| Диод обратного восстановления (t_rr) | 150 нс |
| Температурный диапазон | -40 °C ... +150 °C |
| Корпус | 2 в 1 (2x IGBT + 2x диода) |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (по характеристикам):

• Mitsubishi: CM50DY-24H
• Infineon: FF50R06KE3
• SEMIKRON: SKM50GB063D
• IR (Infineon): IRG4PH50UD

Похожие модули Fuji (серия 6MBI):

• 6MBI50U-060 (600V, 50A, аналогичный)
• 6MBI75F-060 (600V, 75A, более мощный)
• 6MBI50F-120 (1200V, 50A, высоковольтный)

Заключение

Модуль 6MBI50F-060 – надежное решение для силовой электроники среднего уровня мощности. Он совместим с рядом аналогов других производителей, но при замене рекомендуется проверять разводку выводов и тепловые характеристики.

Если нужны дополнительные данные (например, внутренняя схема или графики характеристик), уточните запрос.