IGBT 6MBI50J-060

Описание IGBT-модуля 6MBI50J-060

6MBI50J-060 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства Fuji Electric, предназначенный для использования в мощных инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и системах управления электродвигателями. Модуль обладает низкими потерями проводимости и переключения, а также высокой надежностью.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------| | Тип модуля | IGBT + диод (6-й пакет) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Номинальный ток (I_C при 25°C) | 50 А | | Пиковый ток (I_CP) | 100 А | | Мощность рассеивания (P_D) | 200 Вт | | Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | ~1,8 В | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Корпус | Изолированный (с термопрокладкой) | | Крепление | Винтовое (M4) | | Вес | ~90 г |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (замена без изменений схемы):

• Fuji Electric:
  • 6MBI50J-060-50 (уточненная версия)
  • 6MBI50U-060 (аналог с улучшенными характеристиками)
• Mitsubishi:
  • CM50DY-12H (600V, 50A)
• Infineon:
  • FF50R06RT4 (600V, 50A)

Другие совместимые модели (требуется проверка распиновки и характеристик):

• SEMIKRON: SKM50GB063D
• ON Semiconductor: NGTB50N60FL2WG

Применение

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• Системы управления двигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Модуль 6MBI50J-060 подходит для замены в большинстве устройств, где используются IGBT-модули с аналогичными параметрами. Перед установкой рекомендуется проверять схему управления и тепловой режим.

Нужна дополнительная информация? Готов помочь!