IGBT 6MBI50J120

Описание IGBT модуля 6MBI50J-120

6MBI50J-120 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства Mitsubishi Electric, предназначенный для применения в силовой электронике. Модуль содержит шесть IGBT-транзисторов с обратными диодами (FRD), собранных в трехфазный мостовой инвертор (3-phase bridge).

Основные области применения:

• Преобразователи частоты (ЧРП)
• Промышленные приводы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Электроприводы и системы управления двигателями

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|---------|
| Производитель | Mitsubishi Electric |
| Тип модуля | 3-фазный IGBT-инвертор (6 в 1) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C) | 50 А (при 80°C) |
| Ток короткого замыкания (I_SC) | 100 А |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | ~2.1 В (тип.) |
| Время включения/выключения (t_on/t_off) | ~100 нс / ~400 нс |
| Макс. рабочая частота | до 20 кГц |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.33 °C/Вт |
| Корпус | 24-выводной, изолированный (IMB) |
| Рабочая температура | -40°C … +125°C |

Совместимые и альтернативные модели

Парт-номера Mitsubishi Electric:

• 6MBI50J-120 (основная модель)
• 6MBI50J-120-50 (модификация с улучшенными характеристиками)
• 6MBI50J-120-E (версия с улучшенной изоляцией)

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF50R12RT4
• Fuji Electric: 6MBI50L-120
• Semikron: SKM50GB128D
• ON Semiconductor: NXH50B120H3Q1

Совместимые модули в других корпусах:

• 25A/1200V: 6MBI25J-120
• 75A/1200V: 6MBI75J-120

Примечания по замене

• При замене на аналогичный модуль важно учитывать напряжение, ток, тепловые параметры и расположение выводов.
• Некоторые модули требуют дополнительной проверки драйверов управления, так как могут иметь разные пороговые напряжения.
• Для повышения надежности рекомендуется использовать оригинальные модули Mitsubishi или проверенные аналоги.

Если вам нужна дополнительная информация по подключению или datasheet, уточните запрос!