IGBT 6MBI50J-120

Описание и технические характеристики IGBT модуля 6MBI50J-120

Общее описание:

Модуль 6MBI50J-120 – это IGBT-транзистор с шестым поколением технологии, предназначенный для высокоэффективного управления мощностью в инверторах, частотных преобразователях и системах управления электродвигателями. Модуль имеет встроенный обратный диод и рассчитан на работу в условиях высоких токов и напряжений.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение | |----------|----------| | Тип модуля | IGBT с обратным диодом (DUAL) | | Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток коллектора (I_C при 25°C) | 50 А | | Максимальный импульсный ток (I_CM) | 100 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~2,0 В (при 50 А) | | Падение напряжения на диоде (V_F) | ~1,8 В | | Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot) | 250 Вт | | Температура перехода (T_j) | -40°C … +150°C | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,35 °C/Вт | | Корпус | 6-выводной, изолированный (SEMiX) | | Стандарт изоляции | UL-признанный (2500 В) |

Совместимые модели и парт-номера:

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF50R12KT4
• Mitsubishi: CM50DY-12H
• Fuji Electric: 6MBI50J-120 (оригинал)

Совместимые модули в том же корпусе (SEMiX):

• 6MBI25J-120 (25 А, 1200 В)
• 6MBI75J-120 (75 А, 1200 В)
• 6MBI100J-120 (100 А, 1200 В)

Заменяемые модели с аналогичными параметрами:

• PM50CLA120 (Powerex)
• SKM50GB12T4 (Semikron)

Применение:

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Управление двигателями
• Системы бесперебойного питания (ИБП)

Если требуется уточнение по аналогам или техническим параметрам, можно проверить datasheet производителя (Fuji Electric).