IGBT 6MBI50J-120B

Описание и технические характеристики IGBT 6MBI50J-120B

Общее описание

IGBT 6MBI50J-120B – это модуль IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) производства Fuji Electric, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Модуль используется в:

• Частотных преобразователях
• Промышленных приводах
• Системах управления электродвигателями
• Источниках бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочном оборудовании

Ключевые технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) | 50 А |
| Ток импульсный (I_CP) | 100 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,5 В (при 50 А) |
| Время включения (t_on) | 0,25 мкс |
| Время выключения (t_off) | 0,9 мкс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,35 °C/Вт |
| Максимальная температура перехода (T_j) | 150 °C |
| Тип корпуса | 6MBI (стандартный модуль с изолированным основанием) |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные аналоги Fuji Electric:

• 6MBI50J-120 (базовая версия)
• 6MBI50N-120 (модификация с другими параметрами)

Совместимые модели от других производителей:

• Infineon: FF50R12RT4
• Mitsubishi: CM50DY-12H
• SEMIKRON: SKM50GB12T4
• IXYS: MIXA50WB1200

Примечания по замене

При выборе аналога необходимо учитывать:

• Рабочее напряжение и ток
• Время переключения
• Тип корпуса и схему подключения
• Тепловые характеристики

Модуль 6MBI50J-120B является устаревшим, но еще встречается на рынке. Для замены рекомендуется использовать современные аналоги с улучшенными параметрами.

Если нужна дополнительная информация по подключению или datasheet, уточните запрос!