IGBT 6MBI75120

Описание IGBT модуля 6MBI75120

6MBI751120 — это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Mitsubishi Electric, предназначенный для применения в мощных инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и системах управления электродвигателями. Модуль выполнен по технологии NPT (Non-Punch Through), что обеспечивает высокую надежность и эффективность.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|-------------| | Тип модуля | IGBT + диод (2 в 1) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C при 25°C) | 75 А | | Импульсный ток (I_CP) | 150 А | | Мощность (P_tot) | 300 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,0 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 0,18 мкс | | Время выключения (t_off) | 0,70 мкс | | Диод обратного восстановления (t_rr) | 0,35 мкс | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,25 °C/Вт | | Диапазон рабочих температур | -40°C … +150°C | | Корпус | 6-выводной (серия 6MBI) |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные Mitsubishi:

• 6MBI75U4H-120 (альтернативная версия)
• 6MBI75U4H-120-50 (с улучшенными параметрами)

Совместимые аналоги от других производителей:

• Infineon: FF75R12KE3
• Fuji Electric: 6MBI75L-120
• SEMIKRON: SKM75GB12T4
• ON Semiconductor: NGTB75N120FL2WG

Применение

• Частотные преобразователи
• Промышленные инверторы
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Модуль 6MBI751120 обеспечивает высокую эффективность и надежность в мощных электронных системах. При замене аналогами рекомендуется проверять соответствие характеристик и распиновки.