IGBT 6MBI75S120-50

Описание IGBT модуля 6MBI75S120-50

Производитель: Fuji Electric (Mitsubishi Electric также имеет похожие серии, но 6MBI – это Fuji)
Тип: IGBT-модуль с N-канальными транзисторами и встроенным диодом (PIM – Power Integrated Module)
Назначение: Преобразование энергии в инверторах, частотных преобразователях, системах управления двигателями, промышленных приводах и UPS.

Технические характеристики

1. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
2. Номинальный ток коллектора (I_C при 25°C): 75 А
3. Импульсный ток (I_CP): 150 А
4. Ток встроенного диода (I_F): 75 А
5. Мощность рассеивания (P_tot): 300 Вт
6. Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0.25 °C/Вт
7. Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2.5 В (тип.)
8. Время переключения:
   • Включение (t_on): ~100 нс
   • Выключение (t_off): ~300 нс
9. Корпус: 6MBI (изолированный, для монтажа на радиатор)
10. Температурный диапазон:
    • Рабочая температура: -40°C до +150°C (переход)
    • Хранение: -40°C до +125°C

Дополнительные данные

• Встроенные компоненты:
  • 6 IGBT (3 верхних + 3 нижних для 3-фазного моста)
  • 6 быстрых диода (FRD)
• Изоляция: 2500 В (между базовой платой и терминалами)
• Рекомендуемый теплоотвод: С прижимной пластиной и термопастой

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги Fuji Electric:

• 6MBI75S-120 (устаревшая версия)
• 6MBI75S-120-50 (модификация)
• 6MBI100S-120 (аналог на 100 А)
• 6MBI50S-120 (аналог на 50 А)

Совместимые модели других производителей:

• Mitsubishi Electric: CM75DY-24H (1200V, 75A)
• Infineon: FF75R12RT4 (1200V, 75A)
• Semikron: SKM75GB12T4 (1200V, 75A)
• ON Semiconductor: NXH75T120LQ0 (1200V, 75A)

Парт-номера для заказа:

• Оригинальный: 6MBI75S120-50
• Альтернативные: 6MBI75S12050, 6MBI75S-120-50

Примечания

• Для замены проверяйте распиновку и характеристики, особенно встроенные диоды.
• Рекомендуется использовать оригинальные драйверы (например, EXB841 для Fuji).
• Схемы подключения доступны в даташите Fuji Electric.

Если нужен даташит или уточнение параметров – укажите, помогу найти!