IGBT 6MBI75U4A-120

Описание IGBT модуля 6MBI75U4A-120

Производитель: Fuji Electric (или другой, уточните)
Тип: IGBT-модуль с N-канальными транзисторами и встроенным диодом
Назначение: Применяется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, промышленных системах управления двигателями и других силовых электронных устройствах.

Технические характеристики:

Основные параметры:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (IC @25°C): 75 А
• Импульсный ток коллектора (ICM): 150 А
• Максимальная рассеиваемая мощность (Ptot): 300 Вт
• Напряжение насыщения (VCE(sat)): 2.2 В (тип.)
• Время включения/выключения (ton/toff): н/д (уточните в даташите)

Встроенный диод (FWD):

• Максимальное обратное напряжение (VRRM): 1200 В
• Номинальный ток (IF): 75 А

Тепловые параметры:

• Тепловое сопротивление переход-корпус (Rth(j-c)): 0.25 °C/Вт
• Максимальная температура перехода (Tj): 150 °C

Корпус и монтаж:

• Корпус: 2-в-1 (два IGBT + два диода в одном модуле)
• Тип корпуса: Стандартный модуль с изолированным основанием
• Крепление: Винтовое (M4 или M5)

Парт-номера и аналоги:

Оригинальные аналоги (Fuji Electric):

• 6MBI75U4-120 (возможны вариации суффиксов)
• 6MBI75U4-120-50 (версия с дополнительными опциями)

Совместимые модели других производителей:

• Infineon: FF75R12KT4
• Mitsubishi: CM75DU-12F
• SEMIKRON: SKM75GB12T4
• Powerex (Mitsubishi): CM75DY-12H

Примечания:

• Для точного подбора аналога проверяйте распиновку, параметры VCE(sat) и тепловые характеристики.
• Рекомендуется использовать оригинальный даташит (например, Fuji Electric #6MBI75U4A-120) для уточнения характеристик.

Если нужна более детальная информация (схема подключения, графики), укажите — помогу найти!