IGBT 6MBI75U4B120

Описание IGBT-модуля 6MBI75U4B120

Производитель: Fuji Electric (или другой, уточните производителя, так как номер может соответствовать разным брендам)
Тип: IGBT-модуль с диодом обратного хода (NPT IGBT + FRD)
Назначение: Преобразование и управление мощностью в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, промышленных приводах.

Технические характеристики

1. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
2. Номинальный ток коллектора (I_C): 75 А (при 25°C)
3. Импульсный ток (I_CP): 150 А
4. Мощность рассеивания (P_tot): ~300–400 Вт (зависит от условий охлаждения)
5. Напряжение насыщения (V_CE(sat)): ~2.0–2.5 В (при номинальном токе)
6. Температура эксплуатации: от -40°C до +150°C (корпус)
7. Тип корпуса: Стандартный 6-выводной модуль (например, SEMiX или аналогичный)
8. Встроенные компоненты:
   • 1 x IGBT (NPT-технология)
   • 1 x Диод обратного хода (FRD)

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Fuji Electric:

• 6MBI75U4B120-50 (возможен суффикс -50 или другой, в зависимости от ревизии)
• 6MBI75U4B120-ND (версия для конкретного дистрибьютора)

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF75R12YT3 (аналогичные параметры, но требует проверки распиновки)
• Mitsubishi: CM75TU-12H (1200 В, 75 А)
• SEMIKRON: SKM75GB12T4

Совместимые модули (с проверкой распиновки и характеристик):

• 6MBI75U4B060 (600 В версия)
• 6MBI50U4B120 (50 А, 1200 В)
• 6MBI100U4B120 (100 А, 1200 В)

Примечания:

1. Перед заменой проверьте распиновку, механические размеры и параметры драйвера.
2. Уточните производителя (Fuji, Mitsubishi и др.), так как нумерация может отличаться.
3. Для точного соответствия используйте datasheet конкретной модели.

Если вам нужна дополнительная информация (например, графики характеристик или параметры драйвера), укажите это!