IGBT 6MBI8F120

Описание IGBT модуля 6MBI8F120

6MBI8F120 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства Fuji Electric, предназначенный для применения в инверторах, частотных преобразователях, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах.

Модуль имеет компактную конструкцию, встроенный температурный датчик (NTC) и низкие потери проводимости и переключения, что делает его подходящим для промышленных применений.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|--------------| | Тип модуля | IGBT (2 в 1, полумостовая схема) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ном. ток коллектора (I_C) | 8 А при 25°C | | Импульсный ток (I_CM) | 16 А | | Мощность рассеяния (P_tot) | 50 Вт | | Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | ~2.0 В (типовое) | | Время включения (t_on) | ~100 нс | | Время выключения (t_off) | ~300 нс | | Температура работы (T_j) | -40°C ... +150°C | | Тип корпуса | 6MBI (изолированный, с винтовыми клеммами) | | Встроенный диод | Быстрый обратный диод (FRD) | | Термодатчик | NTC (отслеживание температуры) |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные аналоги от Fuji Electric:

• 6MBI8F120-060 (модификация с улучшенными параметрами)
• 6MBI8U4B-120 (аналог с другим корпусом)

Совместимые модели от других производителей:

• Infineon: FF8R12YT3 (аналог с близкими параметрами)
• Mitsubishi: CM8DY-12H (альтернатива)
• SEMIKRON: SKM75GB12T4 (более мощный аналог)

Применение

• Преобразователи частоты
• Промышленные приводы
• Источники питания
• Системы управления электродвигателями

Если вам нужны дополнительные данные (например, графики характеристик или схемы подключения), уточните запрос.