IGBT 6MBP100VFN060-50

Описание IGBT модуля 6MBP100VFN060-50

Производитель: Mitsubishi Electric (или другой, если уточнено)
Тип: IGBT-модуль с диодным обратным восстановлением (RB-IGBT или стандартный IGBT + диод)
Назначение: Преобразование и управление мощностью в инверторах, частотных приводах, сварочном оборудовании, промышленных системах.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В
• Ток коллектора (I_C): 100 А (при определенных условиях охлаждения)
• Ток короткого замыкания (I_SC): Уточняется (обычно 2–5×I_C)
• Падение напряжения (V_CE(sat)): ~1.8–2.5 В (при номинальном токе)
• Скорость переключения: н/д (зависит от версии)

Тепловые параметры:

• Корпус: модуль с изолированным основанием
• Температура хранения: -40°C до +125°C
• Рабочая температура: до +150°C (зависит от охлаждения)

Встроенные диоды (если есть):

• Обратное напряжение (V_RRM): 600 В
• Ток диода (I_F): до 100 А

Габариты и монтаж:

• Размеры: ~100×60×30 мм (примерно, уточнить по даташиту)
• Вес: ~200–300 г

Парт-номера и аналоги

Оригинальные замены:

• Mitsubishi: 6MBP100VFN060-50 (полный аналог)
• Совместимые серии: CM100DY-xx, NFM100xx (зависит от производителя)

Альтернативы от других брендов:

• Infineon: FF100R06xx
• Fuji Electric: 6MBP100Vxx
• SEMIKRON: SKM100GBxx

Кросс-совместимость:

Проверять по параметрам:

• Напряжение (600 В)
• Ток (100 А)
• Корпус (например, 6MBP-серия)

Применение и замена

Модуль подходит для ремонта:

• Промышленных частотных преобразователей
• Сварочных инверторов
• Источников питания

Важно: При замене проверять распиновку и характеристики в даташите, так как у аналогов могут быть отличия в управлении.

Если нужны точные данные, укажите производителя или прикрепите даташит.