IGBT 6MBP150R060

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT 6MBP150R060
Описание IGBT модуля 6MBP150R060
6MBP150R060 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Fuji Electric, предназначенный для использования в мощных инверторах, преобразователях и системах управления двигателями. Модуль имеет высокую эффективность, низкие потери и надежную конструкцию, что делает его подходящим для промышленных применений, таких как:
- Частотные преобразователи
- Сервоприводы
- Источники бесперебойного питания (ИБП)
- Тяговые системы
Основные технические характеристики
| Параметр | Значение |
|-----------------------------|-------------|
| Тип модуля | IGBT (с диодом обратного хода) |
| Конфигурация | 6-в-1 (3 фазы + тормозной транзистор) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 600 В |
| Номинальный ток (IC при 25°C) | 150 А |
| Макс. ток коллектора (ICM) | 300 А |
| Мощность рассеивания (Ptot) | 750 Вт |
| Падение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat)) | 1,8 В (тип.) |
| Время включения (ton) | 0,5 мкс |
| Время выключения (toff) | 1,2 мкс |
| Диапазон рабочих температур | от -40°C до +150°C |
| Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | 0,12 °C/Вт |
| Корпус | Стандартный 6-выводной модуль |
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги и замены от других производителей:
Fuji Electric:
- 6MBP150RA060 (альтернативная версия)
- 6MBP150RH060 (с улучшенными характеристиками)
Аналоги от других брендов:
- Infineon: FF300R06KE3
- Mitsubishi Electric: CM300DY-24A
- SEMIKRON: SKM150GB066D
- ON Semiconductor: NXH150B600H4Q2
Совместимые серии:
- 6MBP100R060 (100 А версия)
- 6MBP200R060 (200 А версия)
Применение и особенности
- Встроенные быстрые диоды обратного хода
- Низкие коммутационные потери
- Высокая стойкость к перегрузкам
- Оптимизирован для частотных преобразователей и сервоприводов
Если вам нужны дополнительные данные (например, графики характеристик или спецификации корпуса), уточните запрос.