IGBT 6MBP50RA060

Описание IGBT-модуля 6MBP50RA060

6MBP50RA060 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства Fuji Electric, предназначенный для применения в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и других силовых электронных системах. Модуль интегрирует в одном корпусе IGBT-транзисторы с обратными диодами, обеспечивая высокую эффективность и надежность.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Напряжение коллектор-эмиттер (VCES): 600 В
• Ток коллектора (IC @ 25°C): 50 А
• Ток коллектора (IC @ 80°C): 25 А
• Импульсный ток коллектора (ICM): 100 А
• Мощность рассеивания (Ptot): 200 Вт
• Тепловое сопротивление (Rth(j-c)): 0,45 °C/Вт

Параметры IGBT:

• Напряжение насыщения (VCE(sat)): 1,8 В
• Время включения (ton): 0,3 мкс
• Время выключения (toff): 1,2 мкс

Параметры диода:

• Прямое напряжение (VF): 1,6 В
• Время восстановления (trr): 0,15 мкс

Температурный режим:

• Рабочая температура (Tj): -40°C до +150°C
• Температура хранения: -40°C до +125°C

Механические параметры:

• Корпус: модуль с изолированным основанием
• Крепление: винтовое
• Вес: ~100 г

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Fuji Electric:

• 6MBP50RA060 (оригинал)
• 6MBP50RA060-01 (модифицированная версия)

Совместимые аналоги от других производителей:

• Infineon: FF50R06RT4
• Mitsubishi: CM50DY-12H
• SEMIKRON: SKM50GB063D
• IXYS: MIXA50PA060

Замены с похожими характеристиками:

• IR (Infineon): IRG4PH50UD
• Toshiba: MG50Q6ES40

Применение

• Преобразователи частоты
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• ИБП и солнечные инверторы

Модуль 6MBP50RA060 отличается высокой надежностью и подходит для промышленного использования. При замене рекомендуется проверять распиновку и характеристики аналога.

Если нужна дополнительная информация, уточните запрос!