IGBT 6MBP50RA120

Описание и технические характеристики IGBT модуля 6MBP50RA120

Описание:
Модуль 6MBP50RA120 — это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с внутренними диодами обратного восстановления (FRD), предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов и промышленных приводов. Модуль выполнен в компактном корпусе с изолированным основанием, что упрощает монтаж на радиатор.

Основные характеристики:
| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В |
| Номинальный ток коллектора (IC @100°C) | 50 А |
| Импульсный ток (ICP) | 100 А |
| Мощность рассеяния (PD) | 250 Вт |
| Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 2,5 В (при IC=50A) |
| Напряжение затвора (VGE) | ±20 В |
| Сопротивление затвор-эмиттер (RGE) | 3,3 Ом |
| Время включения (ton) | 0,25 мкс |
| Время выключения (toff) | 0,8 мкс |
| Температура перехода (Tj) | -40°C до +150°C |
| Корпус | 6MBP (изолированный, с винтовыми клеммами) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены могут отличаться по корпусу и характеристикам, но функционально близки:

• Fuji Electric:
  • 6MBP50RA120 (оригинал)
  • 6MBP50RA060 (600V версия)
• Mitsubishi:
  • CM50DY-24H (1200V, 50A)
  • CM50DY-12H (600V, 50A)
• Infineon:
  • FF50R12RT4 (1200V, 50A)
• SEMIKRON:
  • SKM50GB12T4 (1200V, 50A)

Применение:

• Промышленные инверторы
• Частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Системы управления двигателями

Примечание:
При замене модуля необходимо учитывать особенности схемы управления затвором и тепловые характеристики. Для точного подбора рекомендуется проверять datasheet производителя.