IGBT 6R1MBI100P

IGBT 6R1MBI100P – описание и технические характеристики

Общее описание:

IGBT 6R1MBI100P – это транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный компанией Mitsubishi Electric. Модуль предназначен для использования в силовой электронике, включая частотные преобразователи, сварочное оборудование, инверторы, системы управления электродвигателями и другие приложения, требующие высокого напряжения и тока.

Ключевые особенности:

• Низкие потери проводимости и переключения.
• Встроенный быстрый диод (FWD).
• Высокая надежность и устойчивость к перегрузкам.
• Изолированный корпус для удобного монтажа на радиатор.

Технические характеристики:

| Параметр | Значение | |---------------------------|----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1000 В | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 6 А | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 12 А | | Максимальный импульсный ток (I_CP) | 24 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.0 В (при 6 А) | | Время включения (t_on) | 45 нс | | Время выключения (t_off) | 200 нс | | Встроенный диод (FWD) | Да | | Корпус | 6-контактный, изолированный (например, 62mm × 24mm) | | Рабочая температура | -40°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели:

Аналоги и замены:

• Mitsubishi:

  • 6R1MBI100P-120 (возможная модификация)
  • CM100DY-12NF (аналог с похожими параметрами)

• Infineon:

  • IKW75N60T (аналог с близкими характеристиками)

• Fuji Electric:

  • 6MBI100VB-060

• SEMIKRON:

  • SKM100GB12T4

Совместимые модули в схемах:

Модуль 6R1MBI100P может заменяться другими IGBT с аналогичными параметрами (1000 В, 6-12 А), но перед заменой необходимо проверять:

• Распиновку корпуса.
• Напряжение и токовые характеристики.
• Наличие встроенного диода.

Применение:

• Преобразователи частоты.
• Сварочные инверторы.
• Управление двигателями.
• Индукционные нагреватели.

Если вам нужна более точная информация по заменам, уточните производителя и схему, в которой используется модуль.