IGBT 6R1MBI100P160-54

Описание IGBT модуля 6R1MBI100P160-54

Производитель: Mitsubishi Electric
Серия: NX / NXA Series
Тип: IGBT-модуль с диодным обратным восстановлением (RB-IGBT)
Назначение: Применяется в инверторах, частотных преобразователях, системах управления двигателями, промышленных и энергетических установках.

Технические характеристики

1. Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1600 В
2. Ток коллектора (I_C @25°C): 100 А
3. Ток коллектора (I_C @80°C): 50 А
4. Ток короткого замыкания (I_SC): 200 А
5. Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot): 330 Вт
6. Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0.38 °C/Вт
7. Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2.1 В (тип.)
8. Диодное прямое напряжение (V_F): 1.7 В (тип.)
9. Корпус: 6-выводной (изолированный)
10. Рабочая температура: -40°C до +150°C

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги Mitsubishi Electric:

• 6R1MBI100P160-50 (предыдущая версия)
• 6R1MBI100P160-51 (модифицированный вариант)
• 6R1MBI100P160-52 (обновленная версия)

Совместимые альтернативы от других производителей:

• Infineon: FF100R12KT4
• Fuji Electric: 2MBI100XA-160
• Semikron: SKM100GB12T4
• ON Semiconductor: NXH100B160H4Q1

Примечания

• Модуль использует технологию Reverse Blocking IGBT (RB-IGBT), что делает его подходящим для схем с двунаправленной коммутацией.
• Совместим с драйверами серии M579xxL/M571xxL (Mitsubishi).
• Рекомендуется использовать с теплоотводом и термопастой для эффективного охлаждения.

Если требуется точная замена, лучше сверить распиновку и характеристики с даташитом производителя.