IGBT 6r1mbi75p-160

Описание IGBT модуля 6R1MBI75P-160

Производитель: Mitsubishi Electric (возможны другие бренды в зависимости от маркировки)
Тип: IGBT-модуль с диодом обратного хода (FWD)
Назначение: Преобразование и управление мощностью в силовых электронных устройствах (инверторы, частотные преобразователи, сварочное оборудование, промышленные приводы).

Технические характеристики

Основные параметры:

• Напряжение коллектор-эмиттер (VCES): 1600 В
• Ток коллектора (IC @ 25°C): 75 А
• Ток коллектора (IC @ 80°C): ~50 А (зависит от условий охлаждения)
• Импульсный ток (ICP): До 150 А
• Напряжение насыщения (VCE(sat)): ~2.1 В (типовое)
• Время включения/выключения (ton/toff): Наносекундный диапазон (точные значения — в даташите)
• Тепловое сопротивление (Rth(j-c)): ~0.25 °C/W

Встроенные компоненты:

• 6 в одном модуле (возможна конфигурация 3 фазного моста)
• Встроенные диоды обратного хода (FWD)

Температурный режим:

• Рабочая температура (Tj): От -40°C до +150°C
• Температура хранения: От -40°C до +125°C

Механические параметры:

• Корпус: Стандартный модуль с изолированным основанием
• Монтаж: Винтовое крепление на радиатор
• Вес: ~200–300 г (зависит от исполнения)

Парт номера (альтернативные и аналоги)

Оригинальные Mitsubishi:

• CM75DY-24H (возможный аналог)
• 6R1MBI75U-160 (модификация)

Аналоги других производителей:

• Infineon: FF75R12KT4
• Fuji Electric: 6MBI75VA-160
• SEMIKRON: SKM75GB12T4

Совместимые модели (зависит от схемы):

• 6R1MBI50P-160 (50 А версия)
• 6R1MBI100P-160 (100 А версия)

Примечания:

1. Для точного подбора аналога проверяйте распиновку и параметры в даташите.
2. Рекомендуется использовать оригинальные модули в критичных применениях.
3. При замене учитывайте условия охлаждения (радиатор, термопаста).

Если нужен даташит или уточнение параметров — укажите, помогу найти!