IGBT 703GB128D

IGBT 703GB128D: Описание и технические характеристики

Описание

IGBT 703GB128D – это высоковольтный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в мощных преобразователях энергии, инверторах, промышленных приводах и системах управления электродвигателями.

Ключевые особенности:

• Высокая мощность и эффективность
• Низкие потери проводимости и переключения
• Встроенный быстрый диод для защиты от обратного напряжения
• Высокая надежность и устойчивость к перегрузкам

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|-------------------------------------|
| Тип устройства | IGBT с диодом |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) | 170 А (при 25°C) |
| Ток импульсный (I_CM) | 340 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 600 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)) | 5–6.5 В |
| Скорость переключения | Высокая (до 30 кГц) |
| Температура хранения | от -55°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 (или аналогичный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: IKW40N120H3, IKW50N120T2
• Fuji Electric: 2MBI200U2A-120
• Mitsubishi: CM600DY-24A
• STMicroelectronics: STGW40H120DF2
• IXYS: IXGH40N120B3

Совместимые модули (в зависимости от схемы):

• SEMIKRON: SKM200GB128D
• Hitachi: MBN1000E33-120

Применение

• Промышленные инверторы
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Солнечные инверторы

Если вам нужна точная замена, рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметрам вашей схемы.