IGBT 75B120RH

Описание и технические характеристики IGBT-модуля 75B120RH

Описание:
IGBT-модуль 75B120RH — это высоковольтный транзистор с изолированным затвором (IGBT) в корпусе, предназначенный для применения в мощных преобразователях частоты, инверторах, сварочном оборудовании и системах управления электроприводами. Модуль имеет встроенный антипараллельный диод, что обеспечивает эффективную работу в схемах с обратным током.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение | |-------------------------|----------------------------------| | Тип модуля | IGBT + диод (NPT-технология) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C при 25°C) | 75 А | | Импульсный ток (I_CM) | 150 А | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 300 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,2 В (при 75 А) | | Время включения (t_on) | 60 нс | | Время выключения (t_off) | 300 нс | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,25 °C/Вт | | Диапазон рабочих температур | -40°C ... +150°C | | Корпус | 2 в 1 (Half-bridge, 2-выводной) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и альтернативные модели:

• Infineon: FF75R12RT4
• Fuji Electric: 2MBI75U2B-120
• Mitsubishi: CM75DY-12H
• Semikron: SKM75GB12T4

Совместимые замены (проверяйте распиновку!):

• IRG4PH50UD
• STGW75HF60WD

Применение:

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если вам нужна более точная информация по замене, уточните тип корпуса и схему подключения.