IGBT 7A30A60B-mhpm

Описание IGBT 7A30A60B-MHPM

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) 7A30A60B-MHPM – это мощный полупроводниковый прибор, предназначенный для коммутации высоких токов и напряжений в инверторах, преобразователях частоты, сварочных аппаратах и других силовых электронных устройствах. Модуль обладает низкими потерями при переключении и высокой температурной стабильностью.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | IGBT с обратным диодом (NPT) |
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C) | 30 А |
| Импульсный ток (I_CM) | до 60 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1.8 В (при 15 А) |
| Скорость переключения | Высокая (частота до 20-30 кГц) |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | ~0.5 °C/Вт |
| Корпус | TO-247 (возможны варианты) |
| Рабочая температура | -40°C ... +150°C |
| Встроенный диод | Быстрый восстановительный (FRD) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: IKW30N60T, IKW40N60T
• Fairchild/ON Semi: FGA30N60, FGH40N60
• STMicroelectronics: STGW30NC60WD
• Mitsubishi: CM30DY-24H
• IXYS: IXGH30N60B3D1

Совместимые модули (если модульная конструкция):

• SEMIKRON: SKM30GB063D
• Fuji Electric: 2MBI30N-060

Если у вас есть специфические требования по замене, рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметров.

Нужна дополнительная информация?