IGBT 7D150A050

IGBT 7D150A050 – Описание и технические характеристики

Общее описание

IGBT 7D150A050 – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для мощных преобразователей энергии, частотных приводов, инверторов и других силовых электронных устройств. Отличается высокой надежностью, низкими потерями проводимости и переключения.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|----------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1500 В | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 150 А | | Максимальный импульсный ток (I_CM) | 300 А | | Мощность рассеяния (P_tot) | 500 Вт | | Напряжение насыщения V_CE(sat) (при I_C = 150 А) | ≤ 2.5 В | | Время включения (t_on) | ~50 нс | | Время выключения (t_off) | ~300 нс | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Корпус | TO-247 (3-выводной) или аналог |

Совместимые модели и парт-номера

IGBT 7D150A050 может быть аналогом или взаимозаменяемым с такими транзисторами:

• Infineon: IKW75N60T, FF150R12KT4
• Fuji Electric: 2MBI150U2A-050
• Mitsubishi: CM150DY-24A
• SEMIKRON: SKM150GB12T4
• IXYS: IXGH150N60B3

Применение

• Силовые инверторы
• Промышленные приводы
• Сварочные аппараты
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Электромобильные преобразователи

Если вам нужны точные аналоги или дополнительная информация по замене, уточните производителя оригинального модуля.