IGBT 7D150A-050

Описание IGBT 7D150A-050

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) 7D150A-050 – это мощный полупроводниковый прибор, предназначенный для коммутации высоких токов и напряжений в силовой электронике. Модуль широко применяется в:

• Промышленных инверторах
• Частотных преобразователях
• Источниках бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочном оборудовании
• Электроприводах

Ключевые особенности:

• Высокая эффективность и низкие потери при переключении
• Встроенный антипараллельный диод для защиты от обратного напряжения
• Надежная изоляция корпуса для безопасного монтажа на радиатор

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|----------------------------------|
| Тип прибора | IGBT с диодом |
| Макс. напряжение (V_CES) | 500 В |
| Макс. ток коллектора (I_C) | 150 А (при 25°C) |
| Ток коллектора (I_C) | 75 А (при 100°C) |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | ~1.8 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | ~35 нс |
| Время выключения (t_off) | ~110 нс |
| Корпус | Трехвыводной (TO-247, TO-3P или аналогичный) |
| Рабочая температура | -40°C … +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены могут отличаться по характеристикам, поэтому рекомендуется проверять datasheet перед заменой:

Оригинальные парт-номера:

• 7D150A-050 (базовая модель)
• 7D150A050 (альтернативное написание)

Совместимые/аналогичные модели:

1. Infineon:
   • IKW75N65EH5 (650 В, 75 А, TO-247)
   • IKW150N65EH5 (650 В, 150 А, TO-247)
2. Fuji Electric:
   • 2MBI150U4A-050 (500 В, 150 А модуль)
3. Mitsubishi:
   • CM150DY-24NF (600 В, 150 А)
4. STMicroelectronics:
   • STGW75HF60WD (600 В, 75 А, TO-247)

Примечание

Перед заменой проверяйте:

• Рабочее напряжение и ток
• Корпус и распиновку
• Наличие встроенного диода

Для точного подбора аналога рекомендуется использовать даташиты производителей или консультироваться с поставщиками.