IGBT 7D30A-050EJR

Описание IGBT 7D30A-050EJR

IGBT 7D30A-050EJR – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный для применения в силовой электронике. Он обеспечивает высокую эффективность, низкие потери при переключении и хорошую термостабильность, что делает его подходящим для:

• Инверторов и преобразователей частоты
• Систем управления электродвигателями
• Источников бесперебойного питания (ИБП)
• Промышленных и бытовых устройств с высокой мощностью

Технические характеристики

Основные параметры:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 500 В
• Ток коллектора (I_C): 30 А (при 25°C)
• Ток коллектора импульсный (I_CM): 60 А
• Рассеиваемая мощность (P_tot): 200 Вт
• Напряжение затвор-эмиттер (V_GE): ±20 В
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): 1,8 В (при I_C = 30 А, V_GE = 15 В)
• Время включения (t_on): 50 нс
• Время выключения (t_off): 150 нс
• Тепловое сопротивление (R_thJC): 0,5 °C/Вт

Корпус и монтаж:

• Тип корпуса: TO-247 (3-контактный)
• Рабочая температура: -55°C … +150°C

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (полные замены):

• 7D30A-050E (альтернативное обозначение)
• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA30N50 (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG30N50A4D (Microsemi)

Частично совместимые модели (требуется проверка параметров):

• IXGH30N50 (IXYS)
• STGW30NC50WD (STMicroelectronics)
• APT30GR50J (Microchip)

Примечания по применению

1. Рекомендуется использовать с драйверами IGBT (например, IR2110, M57962AL).
2. Для эффективного охлаждения необходим радиатор.
3. Перед заменой проверьте соответствие напряжений и токов в схеме.

Если вам нужна дополнительная информация (графики, datasheet), уточните запрос.