IGBT 7D50A-050EHR-02

Описание IGBT модуля 7D50A-050EHR-02

IGBT-модуль 7D50A-050EHR-02 – это высоковольтный силовой транзистор с интегрированным обратным диодом, предназначенный для применения в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и промышленных системах управления электроприводами. Модуль обеспечивает высокую эффективность, низкие потери при переключении и хорошую термостабильность.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|----------------------------------| | Тип транзистора | IGBT с N-каналом + диод | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 500 В | | Ток коллектора (I_C) | 50 А (при 25°C) | | Импульсный ток (I_CM) | 100 А | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | ~200 Вт (зависит от охлаждения) | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1.8 В (при 25 А) | | Время включения (t_on) | ~40 нс | | Время выключения (t_off) | ~150 нс | | Температурный диапазон | -40°C … +150°C | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | ~0.25 °C/Вт | | Корпус | Изолированный (обычно TO-247 или аналогичный) | | Вес | ~30–50 г (зависит от корпуса) |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги:

• 7D50A-050EHR-01 (предыдущая версия)
• 7D50A-050EHR-03 (возможна модификация)
• FGA50N60SFD (Fairchild / ON Semiconductor)
• IXGH50N60B3D1 (IXYS)
• IRG4PC50UD (Infineon)

Совместимые модели в схожих корпусах:

• STGW50NC60WD (STMicroelectronics)
• MG50Q6ES40 (Toshiba)
• HGTG50N60B3 (Microsemi)

Применение

• Частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Системы управления электродвигателями

Если вам нужны точные параметры для конкретного применения, рекомендуется уточнять datasheet у производителя.