IGBT 7D50A-050EJR

Описание IGBT 7D50A-050EJR

IGBT 7D50A-050EJR – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для использования в мощных силовых электронных устройствах, таких как инверторы, преобразователи частоты, системы управления электродвигателями и сварочные аппараты. Модуль обладает низкими потерями проводимости и переключения, высокой термостабильностью и надежностью в условиях высоких нагрузок.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип устройства | IGBT + диод (NPT-технология) |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 500 В |
| Ток коллектора (I_C) | 50 А (при +25°C) |
| Ток коллектора (I_C) | 100 А (при +100°C, импульсный) |
| Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot) | 200 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,8 В (тип.) при I_C = 50 А |
| Время включения (t_on) | 60 нс |
| Время выключения (t_off) | 150 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 (3-контактный) |
| Встроенный диод | Быстрый восстановительный (FRD) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IRG4PC50U (International Rectifier)
• FGA50N65SMD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG50N60B3 (Microsemi)
• IXGH50N60B3 (IXYS)
• STGW50H65DFB (STMicroelectronics)

Совместимые модули в схемах:

• 7D50A-050EJR может быть заменен на 7D60A-050EJR (с повышенным током до 60 А) или 7D40A-050EJR (с пониженным током 40 А).
• В некоторых схемах взаимозаменяем с IRGP50B60PD1 (Infineon).

Применение

• Преобразователи частоты
• Индукционные нагреватели
• Сварочные инверторы
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если требуется более точный подбор аналога, рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметров.