IGBT 7G75

Описание IGBT 7G75

IGBT 7G75 – это высоковольтный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов и систем управления электродвигателями. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими коммутационными потерями и стабильной работой в тяжелых условиях.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|-------------------------------| | Тип прибора | IGBT модуль | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 750 В | | Ток коллектора (I_C) | до 75 А (при 25°C) | | Ток импульса (I_CM) | до 150 А | | Мощность рассеивания (P_tot) | ~300 Вт (с радиатором) | | Температура перехода (T_j) | -40°C ... +150°C | | Сопротивление затвор-эмиттер (R_GE) | ~5 Ом | | Время включения (t_on) | ~40 нс | | Время выключения (t_off) | ~120 нс | | Корпус | TO-247, TO-3P или модульный |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: IKW75N65EH5, IKW75N65ES5
• STMicroelectronics: STGW75H65DFB
• Fuji Electric: 2MBI75U4A-120
• Mitsubishi: CM75DY-24H

Совместимые модули (для замены в схемах):

• IRG7PH50UD1 (International Rectifier)
• FGA75N65SMD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG75N60B3 (Microsemi)

Применение:

• Промышленные инверторы
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• ИБП и солнечные инверторы

Если нужна более точная информация по конкретному производителю или корпусу, уточните модель.