IGBT 7MBI75N060

Описание IGBT 7MBI75N060

7MBI75N060 — это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с внутренним диодом обратного хода (антипараллельный диод), предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Модуль выполнен по технологии NPT (Non-Punch Through), что обеспечивает высокую надежность и эффективность в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и системах управления двигателями.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |------------------------------|---------------------------------| | Тип модуля | IGBT с диодом (2 в 1) | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Ток коллектора (I_C) (при 25°C) | 75 А (макс.) | | Ток коллектора (I_C) (при 100°C) | 50 А (ном.) | | Импульсный ток (I_CP) | 150 А (макс.) | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,7 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 70 нс (тип.) | | Время выключения (t_off) | 350 нс (тип.) | | Диод обратного хода (FWD) | Встроенный, 75 А | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,25 °C/Вт | | Корпус | 6-выводной, изолированный (Mini-SLIM) | | Рабочая температура | -40°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (полная замена):

• Fuji Electric:
  • 7MBR75SA060 (аналог с улучшенными характеристиками)
  • 7MBR75SB060
• Infineon (IR):
  • FF75R12KT4
• Mitsubishi Electric:
  • CM75DY-12H

Частично совместимые модели (требуется проверка схемы):

• SEMIKRON:
  • SKM75GB12T4
• Toshiba:
  • MG75Q2YS40 (600 В, 75 А, но другой корпус)

Применение

• Промышленные инверторы
• Частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Модуль 7MBI75N060 отличается высокой перегрузочной способностью и устойчивостью к коротким замыканиям, что делает его популярным в промышленных системах управления мощностью.

Если нужна дополнительная информация по заменам или схемам применения, уточните детали.