IGBT 7MBP200VEA060-50

Описание IGBT модуля 7MBP200VEA060-50

Производитель: Mitsubishi Electric
Серия: 7MBP
Тип модуля: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) с диодом обратного восстановления (FRD)
Назначение: Преобразование и управление мощностью в инверторах, частотных преобразователях, системах управления двигателями, источниках бесперебойного питания (ИБП) и промышленных приводах.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 600 В |
| Номинальный ток коллектора (IC @25°C) | 200 А |
| Максимальный импульсный ток (ICM) | 400 А |
| Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 1,8 В (тип.) |
| Диод обратного восстановления (FRD) ток (IF) | 200 А |
| Время включения (ton) | 0,3 мкс (тип.) |
| Время выключения (toff) | 1,2 мкс (тип.) |
| Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | 0,12 °C/Вт |
| Корпус | 6-контактный (7MBP) |
| Рабочая температура (Tj) | -40°C ... +150°C |

Совместимые и альтернативные модели

Парт-номера Mitsubishi Electric:

• 7MBP200VEA060-50 (основная модель)
• 7MBP200VEA060-50-F (версия с дополнительной защитой)
• CM200DY-24A (устаревший аналог)

Аналоги других производителей:

• Infineon: FF200R06KE3
• Fuji Electric: 6MBP200VEA060-50
• SEMIKRON: SKM200GB066D

Применение

• Промышленные частотные преобразователи
• Электроприводы и сервосистемы
• Сварочные инверторы
• ИБП и системы резервного питания

Модуль обеспечивает высокую эффективность, низкие потери и надежность в тяжелых рабочих условиях.

Если нужны дополнительные данные (например, графики характеристик или схемы подключения), уточните запрос.