IGBT 7MBP200VEA-120-50

Описание IGBT модуля 7MBP200VEA-120-50

Производитель: Mitsubishi Electric
Тип: IGBT-модуль (NPT, 7-го поколения)
Назначение: Преобразователи частоты, инверторы, промышленные приводы, системы управления электродвигателями.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (I_C при 25°C): 200 А
• Импульсный ток (I_CP): 400 А
• Мощность рассеивания (P_tot): 1120 Вт (при 25°C)
• Температура перехода (T_j): от -40°C до +150°C

Динамические характеристики:

• Время включения (t_on): 0,3 мкс
• Время выключения (t_off): 1,6 мкс
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): 2,1 В (при I_C = 200 А)

Встроенные диоды:

• Обратное напряжение (V_RRM): 1200 В
• Прямой ток (I_F): 200 А

Термическое сопротивление:

• Корпус-радиатор (R_th(j-c)): 0,11 °C/Вт

Механические характеристики:

• Корпус: 7MBP (двухключевой модуль)
• Вес: ~150 г
• Клеммы: Винтовые (M5)

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги Mitsubishi Electric:

• 7MBP200VEA-120-50 (оригинал)
• 7MBP200VEA-120-50-1 (модификация)

Прямые аналоги от других производителей:

• Infineon: FF200R12KT4
• Fuji Electric: 2MBI200VA-120-50
• SEMIKRON: SKM200GB12T4

Совместимые модули (с проверкой распиновки):

• 7MBP150VEA-120-50 (150 А, меньший ток)
• 7MBP200VSA-120-50 (другая версия корпуса)

Примечания:

• Перед заменой проверьте распиновку и характеристики.
• Рекомендуется использовать оригинальные модули в критичных системах.
• Охлаждение должно соответствовать T_j ≤ 125°C для долговечности.

Если нужны дополнительные данные (графики, схемы подключения), уточните!