IGBT 7MBP50RA120

Описание IGBT модуля 7MBP50RA120

7MBP50RA120 — это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor), разработанный компанией Mitsubishi Electric (теперь часть Mitsubishi Electric - Fuji Electric). Модуль предназначен для применения в силовой электронике: инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, промышленных приводах и системах управления электродвигателями.

Модуль содержит два IGBT транзистора с антипараллельными диодами в полумостовой конфигурации (Half-Bridge). Корпус 7MBP обеспечивает высокую надежность и эффективное охлаждение.

Технические характеристики 7MBP50RA120

| Параметр | Значение | |------------------------------|--------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В | | Ток коллектора (IC @ 25°C) | 50 А | | Ток коллектора (IC @ 80°C) | 25 А | | Импульсный ток (ICM) | 100 А | | Рассеиваемая мощность (Ptot) | 200 Вт | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 2,0 В (тип.) | | Время включения (ton) | 150 нс | | Время выключения (toff) | 500 нс | | Ток утечки (ICES) | ≤ 1 мА | | Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | 0,35 °C/Вт | | Диапазон рабочих температур | -40°C ... +125°C | | Тип корпуса | 7MBP (изолированный) |

Парт-номера и совместимые аналоги

Аналоги Mitsubishi / Fuji Electric

• 7MBR50SA120 (аналог с улучшенными параметрами)
• 7MBP50RA060 (аналог на 600 В)
• 7MBP75RA120 (75 А, 1200 В)
• 6MBP50RA120 (устаревшая версия)

Аналоги других производителей

• Infineon: FF50R12RT4
• SEMIKRON: SKM50GB12T4
• ON Semiconductor: NXV50HB120T1

Применение

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• Управление двигателями
• ИБП (источники бесперебойного питания)
• Солнечные инверторы

Модуль 7MBP50RA120 обеспечивает высокую надежность и эффективность в силовых приложениях. Для замены рекомендуется проверять распиновку и тепловые характеристики.

Если нужна дополнительная информация, уточните запрос!