IGBT 7MBP75RA120-50

Описание IGBT модуля 7MBP75RA120-50

Производитель: Mitsubishi Electric
Тип: IGBT-модуль (NPT IGBT 6-го поколения)
Назначение: Преобразователи частоты, инверторы, системы управления двигателями, промышленные приводы, сварочное оборудование.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (I_C): 75 А (при 25°C)
• Ток импульсный (I_CP): 150 А
• Мощность рассеивания (P_tot): 300 Вт
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): 2.0 В (типовое)
• Время включения (t_on): 0.3 мкс
• Время выключения (t_off): 1.2 мкс
• Температура перехода (T_j): от -40°C до +150°C
• Термическое сопротивление (R_th(j-c)): 0.25 °C/Вт

Встроенные диоды:

• Обратное напряжение диода (V_RRM): 1200 В
• Прямой ток диода (I_F): 75 А
• Время восстановления (t_rr): 150 нс

Конструкция:

• Корпус: 6-контактный модуль (2 в 1: верхний и нижний ключи)
• Изоляция: 2500 В (min)

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги Mitsubishi Electric:

• 7MBP75RA120-50 (основной номер)
• 7MBP75RA120-50-09 (версия с дополнительными опциями)
• CM75DY-24H (устаревший аналог)

Совместимые модели других производителей:

• Infineon: FF75R12KT4
• Fuji Electric: 6MBP75RA120
• Semikron: SKM75GB128D
• ON Semiconductor: NGTB75N120FL2WG

Применение и особенности:

• Подходит для инверторных систем с высоким КПД.
• Низкие динамические потери благодаря технологии NPT IGBT.
• Встроенные диоды для обратной рекуперации энергии.
• Используется в промышленных приводах мощностью до 55 кВт.

Если требуется более детальная информация (например, графики вольт-амперных характеристик или применение в конкретных схемах), уточните запрос.