IGBT 7MBP75VDA120-50

Описание IGBT модуля 7MBP75VDA120-50

Производитель: Mitsubishi Electric
Серия: 7MBP
Тип модуля: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) с интегрированным диодом
Назначение: Преобразователи частоты, инверторы, промышленные приводы, системы управления двигателями, источники бесперебойного питания (ИБП), сварочное оборудование.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (I_C при 25°C): 75 A
• Максимальный импульсный ток (I_CP): 150 A
• Мощность рассеивания (P_tot): 300 Вт
• Тип корпуса: 6-выводной модуль (DIPIPM или аналогичный)

Параметры IGBT:

• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)): 2.2 В (типовое)
• Время включения (t_on): 0.15 мкс
• Время выключения (t_off): 0.5 мкс

Параметры встроенного диода (FWD):

• Прямое падение напряжения (V_F): 1.8 В (типовое)
• Время восстановления (t_rr): 0.3 мкс

Тепловые характеристики:

• Температура перехода (T_j): от -40°C до +150°C
• Термосопротивление (R_th(j-c)): 0.25°C/Вт

Дополнительные параметры:

• Изоляционное напряжение (V_iso): 2500 В (AC, 1 мин)
• Встроенный температурный датчик (NTC): Да (опционально, зависит от модификации)

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Mitsubishi:

  • 7MBP75VA120-50
  • 7MBP75VSA120-50 (с NTC)
  • 7MBP75VTA120-50 (усиленная изоляция)

• Infineon:

  • FF75R12KT4
  • FF75R12KE3

• Fuji Electric:

  • 7MBP75VA-120
  • 2MBI75VA-120

• SEMIKRON:

  • SKM75GB12T4
  • SKM75GB12V4

Совместимые серии:

• Mitsubishi N-Series (7MBR, 7MBP)
• Infineon EconoDUAL™
• SEMIKRON SEMiX

Применение и особенности

• Подходит для мощных инверторов (до 55 кВт)
• Оптимизирован для высокочастотных переключений (PWM)
• Защита от перегрева и КЗ (при наличии драйвера)
• Часто используется в системах рекуперативного торможения

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметров.