IGBT 7MBR100VP060

Описание IGBT 7MBR100VP060

7MBR100VP060 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor), разработанный для применения в силовой электронике, преобразователях частоты, инверторах и системах управления двигателями. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими потерями проводимости и переключения, а также хорошей устойчивостью к перегрузкам.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT (с диодом обратного восстановления) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C при 25°C) | 100 А |
| Импульсный ток (I_CP) | 200 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 300 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1.8 В (тип.) |
| Время переключения (t_on / t_off) | 0.2 мкс / 0.6 мкс |
| Температура хранения/эксплуатации | -40°C ... +150°C |
| Тип корпуса | 7MBR (6-контактный, изолированный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Fuji Electric: 7MBR100VP060 (прямая замена)
• Mitsubishi: CM100DY-24H
• Infineon: FF100R06KE3
• SEMIKRON: SKM100GB066D

Совместимые модели:

• 7MBR50VP060 (50A, 600V)
• 7MBR75VP060 (75A, 600V)
• 7MBR150VP060 (150A, 600V)

Применение

• Частотные преобразователи
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Тяговая электротранспортная техника
• Сварочные инверторы
• Управление электродвигателями

Модуль 7MBR100VP060 отличается надежностью и широким применением в промышленной электронике. Если требуется аналог, следует учитывать электрические параметры и конструктивные особенности заменяемого модуля.