IGBT 7MBR10NF120

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT 7MBR10NF120
Описание IGBT модуля 7MBR10NF120
7MBR10NF120 — это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором), разработанный для мощных преобразовательных и инверторных применений. Модуль содержит два IGBT с антипараллельными диодами в стандартном 7-контактном корпусе, что обеспечивает высокую эффективность и надежность в промышленных системах управления электродвигателями, источниках бесперебойного питания (ИБП), сварочных инверторах и других силовых электронных устройствах.
Технические характеристики
| Параметр | Значение | |----------|----------| | Тип модуля | 2x IGBT + диод (полумост) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В | | Номинальный ток (IC) | 10 А | | Пиковый ток (ICM) | 20 А | | Мощность рассеяния (Ptot) | 100 Вт | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 2.1 В (при 10 А) | | Время включения (ton) | 0.3 мкс | | Время выключения (toff) | 0.8 мкс | | Диод восстановления (trr) | 0.3 мкс | | Температура перехода (Tj) | -40°C до +150°C | | Корпус | 7MBR (изолированный) | | Вес | ~30 г |
Парт-номера и совместимые модели
Прямые аналоги от Fuji Electric:
- 7MBR10SA120 (аналог с улучшенными параметрами)
- 7MBR10SB120 (модификация с другим корпусом)
Совместимые модели от других производителей:
- Infineon: FF10R12YT3 (10 А, 1200 В)
- Mitsubishi: CM10DY-12H (10 А, 1200 В)
- SEMIKRON: SKM100GB12T4 (10 А, 1200 В)
Cross-reference (альтернативы):
- IXYS: IXGH10N120
- Toshiba: MG10Q2YS40
Применение
- Промышленные частотные преобразователи
- Сварочные аппараты
- ИБП и солнечные инверторы
- Управление электродвигателями
Модуль 7MBR10NF120 отличается высокой стойкостью к перегрузкам и простотой монтажа благодаря изолированному корпусу. При замене на аналог рекомендуется проверять распиновку и параметры работы в конкретной схеме.
Если нужны дополнительные данные (например, графики характеристик), уточните!