IGBT 7MBR15NE120

Описание IGBT модуля 7MBR15NE120

7MBR15NE120 — это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Fuji Electric, предназначенный для высоковольтных и высокотоковых применений, таких как инверторы, преобразователи частоты, сварочное оборудование и промышленные приводы.

Модуль выполнен по технологии NPT (Non-Punch Through), что обеспечивает высокую надежность, низкие потери проводимости и переключения. Корпус 7MBR компактен и удобен для монтажа на радиатор.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|---------------------------|----------------------------------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) (при 25°C) | 15 А |
| Ток коллектора (I_C) (при 100°C) | 7.5 А |
| Импульсный ток (I_CP) | 30 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 100 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.5 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 0.3 мкс |
| Время выключения (t_off) | 0.8 мкс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 1.25 °C/Вт |
| Диапазон рабочих температур | -40°C...+150°C |
| Тип корпуса | 7MBR (стандартный 6-выводной модуль) |

Аналоги и парт-номера

Прямые аналоги:

• Fuji Electric:
  • 7MBR15NF120
  • 7MBR15SA120
  • 7MBR15SB120
• Mitsubishi:
  • CM15DY-12S
  • CM15DY-12H
• Infineon:
  • FF15R12KE3
  • FF15R12KT3
• SEMIKRON:
  • SKM15GB12T4

Совместимые модели (по характеристикам):

• IRG4BC20UD (International Rectifier, 1200V, 15A)
• STGW15NC120HD (STMicroelectronics)
• NGTB15N120LWG (ON Semiconductor)

Примечание

При замене модуля на аналог рекомендуется учитывать:

• Распиновку корпуса
• Тепловые параметры
• Наличие встроенного диода (если требуется)

Если вам нужны более точные данные по конкретному аналогу, уточните условия эксплуатации.