IGBT 7MBR15NE120-01

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT 7MBR15NE120-01
Описание IGBT модуля 7MBR15NE120-01
Производитель: Fuji Electric (или другой, в зависимости от фактического производителя)
Тип: IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor)
Назначение: Используется в силовой электронике, преобразователях частоты, инверторах, системах управления двигателями и других высоковольтных приложениях.
Корпус: Стандартный модульный корпус с изолированным основанием для удобного монтажа на радиатор.
Технические характеристики
| Параметр | Значение |
|----------|---------|
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В |
| Номинальный ток коллектора (IC) | 15 А (при 25°C) |
| Максимальный импульсный ток (ICM) | 30 А |
| Мощность рассеивания (Ptot) | ~100 Вт (зависит от условий охлаждения) |
| Падение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat)) | ~2,0 В (при номинальном токе) |
| Время включения (ton) | ~50 нс |
| Время выключения (toff) | ~200 нс |
| Температура перехода (Tj) | -40°C до +150°C |
| Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | ~0,5 °C/Вт |
| Изоляционное напряжение (Viso) | 2500 В (между базой и радиатором) |
Альтернативные парт-номера и совместимые модели
Прямые аналоги от Fuji Electric:
- 7MBR15NE120 (базовая модель)
- 7MBR15NE120-02 (возможная модификация)
Аналоги от других производителей:
- Infineon: FF15R12YT3
- Mitsubishi: CM15DY-12S
- SEMIKRON: SKM15GB12T4
- STMicroelectronics: STGW15NC120HD
Примечание
Перед заменой модуля рекомендуется уточнять datasheet конкретного производителя, так как электрические и тепловые параметры могут незначительно отличаться. Также важно учитывать разводку контактов и конструкцию корпуса.
Если вам нужно более точное сравнение или поиск аналогов, укажите область применения (например, частотный преобразователь, сварочный инвертор и т. д.).