IGBT 7MBR25SA120B50

Описание IGBT модуля 7MBR25SA120B50

7MBR25SA120B50 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Mitsubishi Electric, предназначенный для применения в силовой электронике, включая частотные преобразователи, инверторы, источники бесперебойного питания (ИБП) и промышленные приводы.

Модуль оснащен встроенным диодом обратного восстановления (FRD), что делает его пригодным для высокочастотных коммутационных приложений.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |------------------------------|--------------| | Тип модуля | IGBT + FRD (Fast Recovery Diode) | | Конфигурация | 1 в 1 (Single IGBT + Diode) | | Максимальное напряжение (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C) | 25 А (при 25°C) | | Импульсный ток (I_CP) | 50 А | | Максимальная рассеиваемая мощность (P_C) | 150 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1,8 В | | Время включения (t_on) | ~50 нс | | Время выключения (t_off) | ~220 нс | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,75 °C/Вт | | Корпус | 7MBR (25A Series) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Mitsubishi Electric:

• 7MBR25SA120 (базовая модель)
• 7MBR25SB120 (версия с улучшенными характеристиками)
• 7MBR25SC120 (альтернативный вариант)

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF100R12KT4
• Fuji Electric: 2MBI25SA-120
• Semikron: SKM100GB12T4 (более мощный аналог)

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы для электродвигателей
• ИБП и сварочные аппараты
• Солнечные инверторы

Примечание

Перед заменой модуля на аналог необходимо учитывать электрические параметры и конструктивные особенности платы. Рекомендуется проверять документацию производителя.

Если нужны дополнительные данные (например, распиновка или графики характеристик), уточните!