IGBT 7MBR25U4P120

Описание IGBT модуля 7MBR25U4P120

7MBR25U4P120 — это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором) производства Fuji Electric, предназначенный для высоковольтных и мощных преобразовательных систем. Модуль содержит встроенный диод обратного восстановления (FWD) и рассчитан на работу в инверторах, частотных преобразователях, промышленных приводах и системах управления электродвигателями.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------|----------| | Тип модуля | IGBT + Диод (2 в 1) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток коллектора (I_C при 25°C) | 25 А | | Пиковый ток (I_CP) | 50 А | | Мощность рассеивания (P_tot) | 200 Вт | | Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 2.1 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 50 нс | | Время выключения (t_off) | 200 нс | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Тип корпуса | 7MBR (изолированный) | | Вес | ~50 г |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Fuji Electric:

• 7MBR25U4P120-50 (уточненная версия)
• 7MBR25SA120 (альтернативная серия)

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF25R12IE3
• Mitsubishi: CM25DY-24H
• SEMIKRON: SKM25GB12T4
• STMicroelectronics: STGW25H120DF

Применение

• Промышленные инверторы
• Частотные преобразователи
• Системы управления двигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Солнечные инверторы

Если нужны дополнительные данные (например, параметры диода, тепловое сопротивление), уточните запрос.