IGBT 7MBR25VM120-50

Описание IGBT модуля 7MBR25VM120-50

Производитель: Mitsubishi Electric (или другой, в зависимости от реального производителя)
Тип: IGBT-модуль с диодным обратным восстановлением (RB-IGBT)
Назначение: Преобразование и управление мощностью в инверторах, частотных преобразователях, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (I_C): 25 А (при 25°C)
• Ток короткого замыкания (I_SC): 50 А (кратковременно)
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): ~1,8 В (при номинальном токе)
• Время включения (t_on): ~100 нс
• Время выключения (t_off): ~300 нс
• Рабочая частота: до 20 кГц (рекомендуемая)
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): ~0,25 °C/Вт

Встроенный диод (FRD):

• Максимальное обратное напряжение (V_RRM): 1200 В
• Прямой ток диода (I_F): 25 А
• Время восстановления (t_rr): ~100 нс

Температурные характеристики:

• Рабочая температура (T_j): от -40°C до +150°C
• Температура хранения: от -40°C до +125°C

Механические параметры:

• Корпус: модуль с изолированным основанием (например, 7MBR-серия)
• Монтаж: винтовое крепление
• Вес: ~100–150 г

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Mitsubishi Electric:
  • 7MBR25VT120-50
  • 7MBR25VB120-50
• Infineon:
  • FF25R12KE3
  • FF25R12KT3
• Fuji Electric:
  • 7MBR25VA120-50
  • 2MBI25VA-120
• SEMIKRON:
  • SKM25GB12T4

Совместимые модули (по характеристикам):

• 1200V / 25–30A IGBT:
  • STGW30H120DF2 (STMicroelectronics)
  • IRG4PH50UD (Infineon)

Примечание

Указанные аналоги могут иметь отличия в корпусе, тепловых характеристиках или схемотехнике, поэтому перед заменой рекомендуется сверяться с даташитами.

Если у вас есть конкретное применение или дополнительные требования, уточните – помогу подобрать оптимальный вариант!