IGBT 7MBR50NF060-10

Описание IGBT модуля 7MBR50NF060-10

7MBR50NF060-10 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Fuji Electric, предназначенный для высокоэффективного управления мощностью в инверторных системах, частотных преобразователях, промышленных приводах и источниках бесперебойного питания (ИБП). Модуль сочетает в себе низкие потери проводимости и переключения, высокую надежность и компактную конструкцию.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT + диод (6-в-1: 3 фазы с нижними диодами) |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 50 А |
| Ток коллектора (I_C) при 80°C | 25 А |
| Максимальный импульсный ток (I_CP) | 100 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1.7 В (тип.) |
| Потери мощности при переключении (E_on + E_off) | 0.7 мДж (тип.) |
| Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)) | 5.5 В (тип.) |
| Рекомендуемое напряжение затвора (V_GE) | ±20 В |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.35 °C/Вт |
| Корпус | 23-выводный, модуль с изолированным основанием |
| Рабочая температура | -40°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Fuji Electric:

• 7MBR50NF060 (базовая версия)
• 7MBR50NF060-50 (другая модификация)
• 7MBR50NT060 (альтернативная серия)

Совместимые модели от других производителей:

• Infineon: FF50R06RT4
• Mitsubishi: CM50DY-12H
• SEMIKRON: SKM50GB063D
• ON Semiconductor: NGTB50N60FL2WG

Применение

• Частотные преобразователи
• Промышленные приводы
• ИБП и системы энергосбережения
• Сварочные инверторы
• Электромобильные зарядные устройства

Модуль 7MBR50NF060-10 отличается высокой эффективностью и надежностью, что делает его популярным решением в силовой электронике.

Если нужна дополнительная информация (схемы подключения, datasheet), уточните запрос!