IGBT 7MBR50SA060-50

Описание IGBT модуля 7MBR50SA060-50

7MBR50SA060-50 — это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором), разработанный для силовой электроники. Он используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и других системах управления электродвигателями. Модуль имеет встроенный диод обратного восстановления (FRD) и обеспечивает высокую эффективность и надежность в условиях высоких токов и напряжений.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|-----------------------------------| | Производитель | Fuji Electric или Mitsubishi (уточните по маркировке) | | Тип модуля | IGBT + диод (2 в 1) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Номинальный ток (I_C) | 50 А (при 25°C) | | Импульсный ток (I_CM) | до 100 А | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | ~200 Вт (зависит от охлаждения) | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1.8 В (типовое) | | Время включения/выключения (t_on/t_off) | нс (уточняется в даташите) | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | ~0.25 °C/Вт | | Диапазон рабочих температур | -40°C до +150°C | | Корпус | Стандартный модуль (например, 2-pack) | | Вес | ~100 г (примерно) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены могут отличаться в зависимости от производителя. Возможные варианты:

Прямые аналоги:

• 7MBR50SB060 (версия с улучшенными параметрами)
• 7MBR50SA120 (на 1200 В, если требуется большее напряжение)
• 6MBP50RA060 (альтернатива от Fuji Electric)

Совместимые модели других производителей:

• Infineon: FF50R06RT4
• SEMIKRON: SKM50GB063D
• Mitsubishi: CM50DY-12H

Рекомендуемые замены (проверьте распиновку!):

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• HGTG50N60B3 (ON Semiconductor)

Примечание

Для точного соответствия рекомендуется свериться с даташитом производителя (Fuji, Mitsubishi или другого). Если модуль устарел, современные аналоги могут иметь улучшенные динамические и тепловые характеристики.

Нужна дополнительная информация? Уточните параметры или условия применения!