IGBT 7MBR50SB120-50

Описание IGBT модуля 7MBR50SB120-50

7MBR50SB120-50 — это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) серии 7MBR, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений в промышленных преобразователях частоты, инверторах, системах управления электродвигателями и источниках бесперебойного питания (ИБП).

Модуль содержит встроенные диоды обратного тока (FRD) и обеспечивает высокую эффективность, низкие потери проводимости и переключения. Основные области применения:

• Преобразователи частоты
• Промышленные приводы
• Сварочное оборудование
• Тяговая электроника

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|---------------------------------------|
| Тип модуля | IGBT + диод (2 в 1) |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C при 100°C) | 50 А (макс.) |
| Ток импульсный (I_CP) | 100 А (макс.) |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1.8 В (тип.) |
| Скорость переключения | Высокая (оптимизирована для инверторов)|
| Термическое сопротивление (R_th(j-c)) | ~0.25 °C/Вт |
| Корпус | 7MBR (стандартный для серии) |
| Вес | ~150 г (приблизительно) |
| Рабочая температура | -40°C ... +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• 7MBR50SA120-50 (аналог с другими характеристиками диода)
• 7MBR50SB120-52 (модификация с улучшенными параметрами)
• CM50DY-24H (Mitsubishi)
• FF50R12RT4 (Infineon)
• FZ50R12KE3 (Fuji Electric)

Совместимые серии:

• 7MBRxxSA/SB (другие модули серии с разными токами и напряжениями)
• 6MBRxx (предыдущее поколение)

Примечание

Перед заменой модуля рекомендуется проверять datasheet, так как аналоги могут отличаться по характеристикам диодов, тепловым параметрам и корпусу.

Если необходимы дополнительные данные (например, внутренняя структура, графики характеристик), уточните запрос.