IGBT 7MBR50SB-120-50

Описание IGBT модуля 7MBR50SB-120-50

Производитель: Mitsubishi Electric (или другой, если уточните бренд)
Тип: IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor)
Назначение: Управление мощностью в силовых электронных устройствах, таких как инверторы, частотные преобразователи, сварочное оборудование и промышленные приводы.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В |
| Номинальный ток коллектора (IC @ 25°C) | 50 А |
| Ток коллектора (IC @ 80°C) | 35 А (зависит от охлаждения) |
| Пиковый ток (ICM) | 100 А |
| Мощность рассеивания (Ptot) | 200 Вт |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)) | ~1.8 В (при IC=50A) |
| Время включения/выключения (ton/toff) | ~100 нс / ~300 нс |
| Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | 0.25 °C/Вт |
| Диапазон рабочих температур | -40°C до +150°C |
| Корпус | 7MBR (стандартный модульный) |
| Встроенный диод (FWD) | Да |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

1. Mitsubishi Electric:

   • 7MBR50SA-120
   • 7MBR50U4-120
   • CM50DY-12H (возможный аналог)

2. Infineon:

   • FF50R12RT4

3. Fuji Electric:

   • 7MBR50SB-120
   • 2MBi50VA-120

4. SEMIKRON:

   • SKM50GB12T4

Совместимые модели (по характеристикам):

• Любые IGBT-модули с VCES=1200V, IC=50A и аналогичным корпусом (например, 7MBR, 2MBi, SKM).

Примечания:

• Перед заменой проверяйте распиновку и характеристики в даташите.
• Для точного аналога рекомендуется уточнять у производителя или дистрибьютора.

Если нужны дополнительные данные (например, внутренняя структура, графики зависимостей), уточните!