IGBT 7MBR50U4B120B

Описание IGBT модуля 7MBR50U4B120B

7MBR50U4B120B – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Mitsubishi Electric, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений в промышленной электронике, таких как:

• Частотные преобразователи
• Системы управления электродвигателями
• Импульсные источники питания
• Солнечные инверторы

Модуль обладает низкими потерями проводимости и переключения, высокой надежностью и встроенной защитой от перегрева. Корпус обеспечивает хорошее охлаждение и электрическую изоляцию.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|--------------| | Производитель | Mitsubishi Electric | | Тип модуля | IGBT + диод (DUAL) | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 50 А | | Ток коллектора (I_C) при 80°C | 25 А | | Импульсный ток (I_CP) | 100 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,1 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 60 нс (тип.) | | Время выключения (t_off) | 350 нс (тип.) | | Встроенный диод (FWD) | Да (1200 В, 50 А) | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,35 °C/Вт | | Корпус | 7MBR (стандартный 6-выводной) | | Рабочая температура | -40°C ... +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналогичные модули от Mitsubishi Electric:

• 7MBR50U4B120-50 (альтернативная маркировка)
• 7MBR50SA120 (близкий по характеристикам)
• 7MBR50SB120 (с улучшенными параметрами)

Совместимые аналоги от других производителей:

• Infineon: FF50R12RT4
• Fuji Electric: 2MBI50U4B-120
• Semikron: SKM50GB12T4

При замене модуля рекомендуется проверять распиновку и характеристики, так как возможны различия в корпусе и электрических параметрах.

Если вам требуется дополнительная информация (например, datasheet, схемы подключения), уточните запрос!