IGBT 7MBR50U4P120-50

Описание IGBT модуля 7MBR50U4P120-50

Производитель: Mitsubishi Electric (или другой, если уточнено)
Тип: IGBT-модуль с диодом обратного хода (FRD)
Назначение: Преобразование энергии в инверторах, частотных приводах, сварочном оборудовании, промышленных системах управления.

Технические характеристики

1. Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
2. Ток коллектора (I_C): 50 А (при 25°C)
3. Ток импульсный (I_CP): До 100 А (кратковременно)
4. Мощность рассеивания (P_tot): Зависит от условий охлаждения (уточняется в даташите)
5. Падение напряжения (V_CE(sat)): ~1.8–2.2 В (типовое)
6. Температура хранения/работы: -40°C до +150°C (корпус)
7. Корпус: 7MBR серия (стандартный 2-in-1 модуль)
8. Встроенные диоды: Быстровосстанавливающиеся FRD

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги Mitsubishi Electric:

• 7MBR50U4P120-50 (оригинал)
• 7MBR50U4P120-50# (варианты с разными постфиксами)

Совместимые/похожие модели других брендов:

1. Infineon: FF50R12RT4, FF50R12KE3
2. Fuji Electric: 2MBI50U4A-120
3. SEMIKRON: SKM50GB12T4
4. ON Semiconductor: NVF50N120S3

Кросс-модули (зависит от параметров):

• 7MBR50U4P120-60 (более высокий ток)
• 7MBR50U4P120-30 (пониженные характеристики)

Примечания:

• Для точного подбора проверяйте даташит, особенно параметры V_CES, I_C и схему включения.
• Совместимость зависит от электрических и механических характеристик.

Если требуется уточнение по конкретному аналогу или замене, укажите условия эксплуатации (нагрузка, охлаждение и т.д.).