IGBT 7MBR50VB-120A-50

Описание IGBT модуля 7MBR50VB-120A-50

7MBR50VB-120A-50 – это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором), разработанный для мощных преобразовательных и инверторных систем. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими потерями проводимости и переключения, а также надежной конструкцией с изолированным основанием.

Применяется в:

• Промышленных частотных преобразователях
• Сервоприводах
• Источниках бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочном оборудовании
• Электроприводах

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип модуля | IGBT (2 в 1: верхний + нижний ключ) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C) | 50 А (при 25°C) | | Ток импульса (I_CP) | 100 А | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 200 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1.8 В (при номинальном токе) | | Время включения (t_on) | ~100 нс | | Время выключения (t_off) | ~400 нс | | Температурный диапазон | -40°C до +150°C | | Термосопротивление (R_th(j-c)) | 0.35 °C/Вт | | Изоляция корпуса | Да (2500 В) | | Крепление | Винтовое (M4-M5) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Fuji Electric (оригинальная серия):

• 7MBR50VB-120-50 (полный аналог)
• 7MBR50SA120 (близкий по параметрам)

Совместимые/альтернативные модели от других производителей:

• Infineon: FF50R12RT4
• Mitsubishi: CM50DY-24H
• SEMIKRON: SKM50GB12T4
• ON Semiconductor: NGTB50N120FL2WG

Рекомендуемые замены (с проверкой распиновки!):

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• IXGH50N120B3 (IXYS)

Примечания по замене:

1. Перед заменой убедитесь в совпадении:
   • Напряжения и тока
   • Типа корпуса и распиновки
   • Рабочей частоты
2. Проверьте параметры изоляции, если модуль используется в высоковольтных схемах.

Если вам требуется более точный подбор аналога, уточните условия эксплуатации (например, частоту переключений, систему охлаждения).