IGBT 7MBR50VY120-50

Описание IGBT модуля 7MBR50VY120-50

Производитель: Fuji Electric (или другой, уточните)
Тип: IGBT-модуль с диодным обратным восстановлением (DUAL / 2-in-1)
Назначение: Преобразование энергии в инверторах, частотных приводах, сварочном оборудовании и промышленных системах управления.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (I_C): 50 А (при 25°C)
• Ток короткого замыкания (I_SC): 100 А (макс.)
• Мощность рассеивания (P_D): ~200–300 Вт (зависит от условий охлаждения)
• Температура перехода (T_j): -40°C до +150°C

Параметры IGBT:

• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): ~1.8–2.5 В (при 50 А)
• Время включения/выключения (t_on/t_off): ~100–200 нс
• Входная емкость (C_ies): ~10–15 нФ

Параметры встроенного диода (FWD):

• Прямое напряжение (V_F): ~1.7–2.2 В (при 50 А)
• Время восстановления (t_rr): ~100–200 нс

Механические характеристики:

• Корпус: модуль с изолированным основанием
• Монтаж: винтовое крепление на радиатор
• Вес: ~100–150 г

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF50R12KT4
• Mitsubishi Electric: CM50DY-12H
• SEMIKRON: SKM50GB12T4
• ON Semiconductor: NGTB50N120FL2WG

Прямые аналоги от Fuji Electric (если модуль Fuji):

• 7MBR50SA120-50
• 7MBR50VA120-50
• 7MBR50VB120-50

Варианты замены с другими параметрами:

• Для более высокого тока: 7MBR75VY120-50 (75 А)
• Для меньшего тока: 7MBR35VY120-50 (35 А)

Примечания по применению

• Требуется эффективное охлаждение (радиатор + термопаста).
• Рекомендуется использовать драйверы с напряжением затвора +15 В / -8 В для оптимального управления.
• Проверяйте datasheet производителя перед заменой, так как характеристики могут незначительно отличаться.

Если у вас есть дополнительные требования (например, схема включения или условия эксплуатации), уточните детали!