IGBT 7MBR75SB060B-50

Описание IGBT модуля 7MBR75SB060B-50

Производитель: Mitsubishi Electric
Тип: IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor)
Назначение: Управление мощностью в инверторах, частотных преобразователях, системах промышленной автоматизации и электроприводах.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Номинальный ток (I_C) | 75 А (при 25°C) | | Макс. импульсный ток (I_CP) | 150 А | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 300 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,8 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 0,3 мкс | | Время выключения (t_off) | 1,2 мкс | | Корпус | 6-контактный (стандартный для модулей Mitsubishi) | | Температура хранения | -40°C до +125°C | | Рабочая температура | -25°C до +125°C | | Встроенный диод | Да (антипараллельный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги Mitsubishi:

• 7MBR75SA060B-50 (аналог с другим корпусом)
• 7MBR75SB060-50 (версия без суффикса "B")

Совместимые модели других производителей:

• Infineon: FF75R12KT4
• Fuji Electric: 6MBP75RA060
• SEMIKRON: SKM75GB12T4

Рекомендуемые замены (проверьте распиновку!):

• IR (Infineon): IRG7PH50UD
• Toshiba: MG75Q6ES40

Примечания:

• Перед заменой проверьте спецификации по напряжению, току и корпусу.
• Рекомендуется использовать оригинальные модули Mitsubishi для критичных применений.
• Для точной замены лучше уточнить datasheet и конфигурацию драйвера.

Если нужны дополнительные параметры (например, тепловое сопротивление, схема подключения), уточните!