IGBT 7MBR75VB-120-50

Описание IGBT модуля 7MBR75VB-120-50

Производитель: Fuji Electric (или другой, уточните)
Тип: IGBT-модуль с диодным обратным восстановлением (Dual IGBT + Diode)
Назначение: Используется в силовой электронике, инверторах, частотных преобразователях, системах управления двигателями, сварочном оборудовании и промышленных приводах.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C) | 75 А |
| Максимальный импульсный ток (I_CP) | 150 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 300 Вт |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.25 °C/Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.1 В (при 75 А) |
| Время включения (t_on) | 0.3 мкс |
| Время выключения (t_off) | 1.2 мкс |
| Корпус | 6-выводной, модульный (например, 7MBR-серия) |
| Рабочая температура | -40°C до +150°C |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные аналоги:

• Fuji Electric: 7MBR75VB120-50 (полное обозначение)
• Mitsubishi: CM75DY-12H
• Infineon: FF75R12KT4
• SEMIKRON: SKM75GB12T4

Совместимые модели:

• 7MBR50VB-120-50 (50A версия)
• 7MBR100VB-120-50 (100A версия)
• CM100DY-12H (Mitsubishi)
• FF100R12KT4 (Infineon)

Примечания:

1. Проверьте производителя – Fuji Electric часто использует такой формат маркировки, но возможны вариации.
2. Охлаждение – модуль требует установки на радиатор с теплопроводящей пастой.
3. Схема включения – 6-pin конфигурация (3x IGBT + 3x диода).

Если нужна точная замена, рекомендуется сверить даташит и параметры V_CES, I_C, корпус.